分享：内存颗粒报价看涨，模组厂商已磨刀霍霍
近期因南韓海力士 (Hynix)中國無錫廠停電，帶動記憶體DRAM現貨價守穩整數關卡；隨著旺季前備貨需求，日本DRAM大廠爾必達 (Elpida)預定6月進一步調高DRAM價格，記憶體模組廠商在面對NAND Flash價格仍處低檔下，均寄望在DRAM旺季效應。
受制DRAM與NAND Flash價格處於低檔，記憶體製造業者及模組廠商首季營運低迷，普遍處於虧損，但在製造大廠減少資本支出及部分廠商主動調高價格，記憶體DRAM合約價格自4月以來呈現緩步調升走勢。
本月19日南韓海力士中國無錫廠停電，集邦科技 (Dramexchange)認為可能影響約1周的產能，因此在市場預期供給減少下，DRAM顆粒價格短線可望逐步反彈，DDR2報價也在本週重新站回整數關卡，1Gb DDRII現貨報價站回2美元大關。
集邦科技最新的DRAM 5月下旬合約價，512Mb與1GbDDRII顆粒同步走揚，報價同創近半年來新高；其中，512Mb容量漲幅介於3.1%至5.6%，均價為1.13美元；1Gb規格則上漲3.15%至5.56%，均價為2.25美元，並同步推升1GB模組價格走揚，均價由前次報價20美元上揚至21美元。
針對DRAM合約價近期以來第三次調漲，集邦科技分析刺激價格走揚的原因，主要來自電腦OEM大廠為迎接傳統旺季建立庫存，在現階段DRAM價格仍在相對低檔下，買盤積極介入導致，預期短期內DRAM價格漲勢仍將延續。
此外，DRAM合約價在淡季反轉，主要是供給面產生變化，尤其全球DRAM廠經歷前波鉅額虧損後，產出增加相對保守；第一季海力士的位元成長率僅5%，奇夢達(Qimonda)位元銷售率甚至為負9%，因此在近期價格起漲訊號確定後，市場買方提早進場拉高庫存，也帶動了市場需求。
在現貨價走穩，5月下旬合約價出現自4月以來連續第三次調漲，以及第三季旺季需求可望逐步顯現下，日本DRAM廠爾必達執行長板本幸雄，出席路透主辦的全球科技媒體暨電信高峰會時表示，打算於6月再度對客戶調漲DRAM價格，雖然漲幅尚未敲定，但預估1Gb DRAM晶片售價漲到3美元。
對於爾必達計劃調漲6月DRAM價格，國內製造廠商認為，以目前供給面成長速度還追不上需求成長速度來看，調漲的空間還是有的，南科 (2408) 指出，市場需求相當強勁，伴隨供給吃緊，南科近期合約報價至少上漲5%，目標漲幅可達10%左右。
記憶體模組廠商也對記憶體價格後市相當看好，威剛 (3260) 董事長陳立白今年初即認為，今年DRAM價格反彈的幅度將明顯優於NAND Flash，強烈看好DRAM今年的反彈力道。
模組廠商指出，第三季旺季需求是值得期待的，愈接近下半年旺季，DRAM價格上揚趨勢就愈明確，因此穩定上揚應是沒問題的。整體而言，NAND Flash 今年淡季效應仍然明顯，DRAM反而在淡季出現合約價連三次調漲動作，6月份隨旺季前備貨需求，合約價仍有上揚趨勢，現貨價方面亦出現以2美元為主流規格DDR2底部價格的共識。
而隨著第三季的返校需求逐漸浮現，加上DRAM廠有效的控制資本支出與擴張產能，製造廠商及模組廠商均對DRAM後市的價格表現，抱持正面的看法，認為將走出上半年營運的低潮。
